MOSFET Canal N IRF9530

Características:

Tipo de FET: MOSFET

• Disipación total del dispositivo (Pd): 79 W
• Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V
• Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
• Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
• Corriente continua de drenaje (Id): 12 A
• Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
• Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.3 Ohm